DB106S-G
Comchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | DB106S-G |
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Hersteller / Marke: | Comchip Technology |
Teil der Beschreibung.: | BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBS |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Spitzensperr- (max) | 800 V |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DBS |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 4-SMD, Gull Wing |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Diodentyp | Single Phase |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 1 A |
Grundproduktnummer | DB106 |
DB106S-G Einzelheiten PDF [English] | DB106S-G PDF - EN.pdf |
DB106S-47L-2 DIODE
BRIDGE RECT 800V 1A DB-LS
RECT BRIDGE 1000V 1A DB
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-M
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-S
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBS
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-1
DB106S-13-00-RO HY
DBS 800V 1.0A Diodes Bridge Re
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-1
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
STS SOP4
RECTIFIER BRIDGE 1A 800V DBS
SEP DIP4
Interface
BRIDGE RECT 1000V 1A DB-1
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
RECT BRIDGE 800V 1A DB
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-M
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DB106S-GComchip Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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